FDB6644 |
RFQ for FDB6644 |
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| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| FDB6644 | - | TO-263 | 05+ |
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.
These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications.
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.
Features |
| · 50 A, 30 V. R DS(ON)= 8.5 mW @ VGS = 10 V R DS(ON)=10.5 mW @ VGS = 4.5 V· Low gate charge (27 nC typical)· Fast switching speed· High performance trench technology for extremely low R DS(ON)· 175°C maximum junction temperature rating |
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Symbol |
Parameter |
FDP6644 |
FDB6644 |
Units | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VDSS |
Drain-Source Voltage |
30 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VGSS |
Gate-Source Voltage |
± 16 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ID |
Drain Current - Continuous (Note 1)
- Pulsed (Note 1) |
50 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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150 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PD |
Total Power Dissipation @ TC=25&nbs
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